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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
真空斷路器測(cè)試儀使絕緣和開斷性能降低，發(fā)展到一定程度，真空斷路器將喪失其工作能力。滅弧室真空狀況直接影響電力系統(tǒng)運(yùn)行的**性。因此，對(duì)服役真空滅弧室真空度測(cè)定尤為重要
詳情介紹：
真空斷路器測(cè)試儀
一、序言：
隨著我國配電系統(tǒng)“無油化”改造的順利實(shí)施，真空斷路的使用日趨普及。
真空滅弧室作為真空斷路器的核心部件，真空壓強(qiáng)，直接影響真空滅弧室的性能，為保證滅弧室的可靠工作，我國部標(biāo)（JB）技術(shù)中規(guī)定其真空壓強(qiáng)的允許*大值為1.33×10-2pa國標(biāo)（GB）中為6.6×10-2pa。盡管現(xiàn)代電真空技術(shù)已能保證它們有10年及至20年的真空壽命。但是由于我國目前的生產(chǎn)條件和工藝水平，沿不能完全保證生產(chǎn)的真空滅弧室不漏氣。同時(shí)我國現(xiàn)有真空滅弧室觸頭材料大多采用cucr，雖然cr的吸氣性強(qiáng)，但當(dāng)采用傳統(tǒng)的粉末冶金法來制備cucr材料時(shí)，材料的含氣量還是比較高的。另外，由于制造時(shí)焊接工藝的質(zhì)量或運(yùn)輸過程中，受震動(dòng)或安裝操作上的不當(dāng)?shù)仍颍斐陕獾目赡苄砸彩谴嬖诘摹Ｒ虼耍婵諟缁∈抑瞥沙鰪S以后，并不能永遠(yuǎn)維持真空的壓強(qiáng)，而是有一定的真空壽命。隨著時(shí)間的增加，滅弧室的真空度將降低。經(jīng)過嚴(yán)格電真空工藝處理的真空滅弧室，影響真空度的主要因素為工作表面的放氣與吸氣過程。隨著工作時(shí)間的增長(zhǎng)，滅弧室的微漏氣也會(huì)導(dǎo)致其真空度下降。使絕緣和開斷性能降低，發(fā)展到一定程度，真空斷路器將喪失其工作能力。滅弧室真空狀況直接影響電力系統(tǒng)運(yùn)行的**性。因此，對(duì)服役真空滅弧室真空度測(cè)定尤為重要。
由本公司開發(fā)研制的ZKD-3型真空度測(cè)試儀是一套計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集處理系統(tǒng)，它采用先進(jìn)的磁控放電技術(shù)，并利用先進(jìn)的單片機(jī)技術(shù)，配以專業(yè)設(shè)計(jì)的勵(lì)磁線圈，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)場(chǎng)不拆卸實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集處理和微機(jī)同步監(jiān)視，測(cè)量精度高、數(shù)字化顯示、操作簡(jiǎn)單、使用維護(hù)方便、檢測(cè)過程僅二十秒左右，為用戶掌握真空滅弧室真空狀態(tài)，有計(jì)劃的更換滅弧室提供了可靠依據(jù)。對(duì)電網(wǎng)的**運(yùn)行提供了有力的保障。
二、測(cè)試原理：
將滅弧室的兩觸頭拉開一定的開距，施加脈沖高壓，將新型電磁線圈環(huán)繞于滅弧室外側(cè)，向線圈通以大電流，從而在滅弧室內(nèi)產(chǎn)生與高壓同步的脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)和強(qiáng)電場(chǎng)的作用下，滅弧室中的電子做螺旋運(yùn)動(dòng)，并與殘余氣體分子發(fā)生碰撞電離，所產(chǎn)生的離子電流與殘余氣體密度即真空度近似成比例關(guān)系。對(duì)于不同的真空管型號(hào)（管型），由于其結(jié)構(gòu)不同，在同等觸頭開距、同等真空度、同等電場(chǎng)與磁場(chǎng)的條件下，離子電流間的對(duì)應(yīng)關(guān)系曲線。當(dāng)測(cè)知離子電流后，就可以通過查詢管型的離子電流一真空度曲線獲得該管型的真空度。這一過程由計(jì)算機(jī)自動(dòng)完成。
三、性能指標(biāo)：
1、適用范圍：各種型號(hào)、電壓等級(jí)及材料真空管
2、開關(guān)天距：正常使用開距
3、檢驗(yàn)范圍：100-10-6pa
4、測(cè)量精度：優(yōu)于5％
5、使用環(huán)境：-20℃-+40℃
6、主機(jī)重量：7㎏
7、外型尺寸：380×280×250（mm）
四、技術(shù)參數(shù)：
1、供電電壓：AC220V±10% 50Hz±1
2、脈沖高壓輸出：15KV
3、磁場(chǎng)電壓輸出：1200V
一、序言：
隨著我國配電系統(tǒng)“無油化”改造的順利實(shí)施，真空斷路的使用日趨普及。
真空滅弧室作為真空斷路器的核心部件，真空壓強(qiáng)，直接影響真空滅弧室的性能，為保證滅弧室的可靠工作，我國部標(biāo)（JB）技術(shù)中規(guī)定其真空壓強(qiáng)的允許*大值為1.33×10-2pa國標(biāo)（GB）中為6.6×10-2pa。盡管現(xiàn)代電真空技術(shù)已能保證它們有10年及至20年的真空壽命。但是由于我國目前的生產(chǎn)條件和工藝水平，沿不能完全保證生產(chǎn)的真空滅弧室不漏氣。同時(shí)我國現(xiàn)有真空滅弧室觸頭材料大多采用cucr，雖然cr的吸氣性強(qiáng)，但當(dāng)采用傳統(tǒng)的粉末冶金法來制備cucr材料時(shí)，材料的含氣量還是比較高的。另外，由于制造時(shí)焊接工藝的質(zhì)量或運(yùn)輸過程中，受震動(dòng)或安裝操作上的不當(dāng)?shù)仍颍斐陕獾目赡苄砸彩谴嬖诘摹Ｒ虼耍婵諟缁∈抑瞥沙鰪S以后，并不能永遠(yuǎn)維持真空的壓強(qiáng)，而是有一定的真空壽命。隨著時(shí)間的增加，滅弧室的真空度將降低。經(jīng)過嚴(yán)格電真空工藝處理的真空滅弧室，影響真空度的主要因素為工作表面的放氣與吸氣過程。隨著工作時(shí)間的增長(zhǎng)，滅弧室的微漏氣也會(huì)導(dǎo)致其真空度下降。使絕緣和開斷性能降低，發(fā)展到一定程度，真空斷路器將喪失其工作能力。滅弧室真空狀況直接影響電力系統(tǒng)運(yùn)行的**性。因此，對(duì)服役真空滅弧室真空度測(cè)定尤為重要。
由本公司開發(fā)研制的ZKD-3型真空度測(cè)試儀是一套計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集處理系統(tǒng)，它采用先進(jìn)的磁控放電技術(shù)，并利用先進(jìn)的單片機(jī)技術(shù)，配以專業(yè)設(shè)計(jì)的勵(lì)磁線圈，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)場(chǎng)不拆卸實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集處理和微機(jī)同步監(jiān)視，測(cè)量精度高、數(shù)字化顯示、操作簡(jiǎn)單、使用維護(hù)方便、檢測(cè)過程僅二十秒左右，為用戶掌握真空滅弧室真空狀態(tài)，有計(jì)劃的更換滅弧室提供了可靠依據(jù)。對(duì)電網(wǎng)的**運(yùn)行提供了有力的保障。
二、測(cè)試原理：
將滅弧室的兩觸頭拉開一定的開距，施加脈沖高壓，將新型電磁線圈環(huán)繞于滅弧室外側(cè)，向線圈通以大電流，從而在滅弧室內(nèi)產(chǎn)生與高壓同步的脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)和強(qiáng)電場(chǎng)的作用下，滅弧室中的電子做螺旋運(yùn)動(dòng)，并與殘余氣體分子發(fā)生碰撞電離，所產(chǎn)生的離子電流與殘余氣體密度即真空度近似成比例關(guān)系。對(duì)于不同的真空管型號(hào)（管型），由于其結(jié)構(gòu)不同，在同等觸頭開距、同等真空度、同等電場(chǎng)與磁場(chǎng)的條件下，離子電流間的對(duì)應(yīng)關(guān)系曲線。當(dāng)測(cè)知離子電流后，就可以通過查詢管型的離子電流一真空度曲線獲得該管型的真空度。這一過程由計(jì)算機(jī)自動(dòng)完成。
三、性能指標(biāo)：
1、適用范圍：各種型號(hào)、電壓等級(jí)及材料真空管
2、開關(guān)天距：正常使用開距
3、檢驗(yàn)范圍：100-10-6pa
4、測(cè)量精度：優(yōu)于5％
5、使用環(huán)境：-20℃-+40℃
6、主機(jī)重量：7㎏
7、外型尺寸：380×280×250（mm）
四、技術(shù)參數(shù)：
1、供電電壓：AC220V±10% 50Hz±1
2、脈沖高壓輸出：15KV
3、磁場(chǎng)電壓輸出：1200V
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